- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:MOSFET - 参考价格:¥10.35-¥9.45
更新日期:2024-04-01
产品简介:MOSFET
- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:MOSFET - 参考价格:¥10.35-¥9.45
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IRFS3307ZTRRPBF 中文资料属性参数
- 制造商:International Rectifier
- 晶体管极性:N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:75 V
- 漏极连续电流:120 A
- 电阻汲极/源极 RDS(导通):5.8 mOhms
- 配置:Single
- 最大工作温度:+ 175 C
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:D2PAK
- 封装:Tube
- 下降时间:65 ns
- 正向跨导 gFS(最大值/最小值):320 S
- 栅极电荷 Qg:79 nC
- 最小工作温度:- 55 C
- 功率耗散:230 W
- 上升时间:64 ns
- 工厂包装数量:800
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