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说明：MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET - 参考价格：￥9.73
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET
- RoHS：
• 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
• 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
• 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
• 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
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• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
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IRF8308MTRPBF 供应商
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IRF8308MTRPBF 中文资料属性参数
- 制造商：International Rectifier
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 闸/源击穿电压：20 V
- 漏极连续电流：150 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.5 mOhms
- 封装：Reel
- 栅极电荷 Qg：28 nC
- 功率耗散：89 W
- 工厂包装数量：4800