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- 参考价格：RMB3.18-RMB3.34
更新日期：2024-04-01
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IRF7534D1PBF 供应商
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IRF7534D1PBF 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：60 ns
- 典型接通延迟时间：10 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：10 nC V @ 5
- 典型输入电容值@Vds：1066 pF V @ 10
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：3.05mm
- 封装类型：Micro8
- 尺寸：3.05 x 3.05 x 0.91mm
- 引脚数目：8
- 最低工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：1250 mW
- 最大栅源电压：±12 V
- 最大漏源电压：20 V
- 最大漏源电阻值：0.055
- 最大连续漏极电流：4.3 A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：功率 MOSFET
- 通道模式：增强
- 通道类型：P
- 配置：双漏极、单
- 长度：3.05mm
- 高度：0.91mm
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