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IRF7413

International Rectifier MOSFET 晶体管

更新日期：2024-04-01

IRF7413

International Rectifier MOSFET 晶体管

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IRF7413 中文资料属性参数

  • 典型关断延迟时间：52 ns
  • 典型接通延迟时间：8.6 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：52 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：1800 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：4mm
  • 封装类型：SO-8
  • 尺寸：5 x 4 x 1.5mm
  • 引脚数目：8
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：2.5 W
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：30 V
  • 最大漏源电阻值：0.018
  • 最大连续漏极电流：13 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：四漏极、单、三源
  • 长度：5mm
  • 高度：1.5mm

IRF7413 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF7413

Power MOSFET(Vdss=30V, Id=12A)

 8 Pages页,124K 查看
IRF7413A

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.0135ohm)

 9 Pages页,117K 查看

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