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IRF6668

International Rectifier MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB11.50-RMB11.60

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IRF6668

International Rectifier MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB11.50-RMB11.60

IRF6668 供应商

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IRF6668 中文资料属性参数

  • 典型关断延迟时间：7.1 ns
  • 典型接通延迟时间：19 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：22 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：1320 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：5.05mm
  • 封装类型：DirectFET MZ
  • 尺寸：5.45 x 5.05 x 0.6mm
  • 引脚数目：7
  • 最低工作温度：-40 °C
  • 最大功率耗散：2800 mW
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：80 V
  • 最大漏源电阻值：0.015
  • 最大连续漏极电流：55 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：双源、四漏极、单
  • 长度：5.45mm
  • 高度：0.6mm

IRF6668 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF6668

DirectFET Power MOSFET

 9 Pages页,257K 查看
IRF6668TR1PBF

MOSFET, N, DIRECTFET, MZ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Avalanche Single Pulse Energy Eas:24mJ; Base Number:6668; Cont Current Id @ 70°C:44A; Current Id Max:44A; Fall Time tf:23ns; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-40°C; Package / Case:MZ; Power Dissipation Pd:2.8mW; Pulse Current Idm:170A; Rise Time:13ns; Storage Temperature Max:150°C; Storage Temperature Min:-40°C; Ter...

10页,631K 查看

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