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更新日期:2024-04-01 00:04:00

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IRF6631 供应商

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IRF6631 中文资料属性参数

  • 典型关断延迟时间:18 ns
  • 典型接通延迟时间:15 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:12 nC V @ 4.5
  • 典型输入电容值@Vds:1450 pF V @ 15
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:3.95mm
  • 封装类型:DirectFET SQ
  • 尺寸:3.95 x 3.95 x 0.59mm
  • 引脚数目:6
  • 最低工作温度:-40 °C
  • 最大功率耗散:2200 mW
  • 最大栅源电压:±20 V
  • 最大漏源电压:30 V
  • 最大漏源电阻值:0.008
  • 最大连续漏极电流:13 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:四漏极、单
  • 长度:3.95mm
  • 高度:0.59mm

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