- 参考价格:RMB13.82-RMB14.20
更新日期:2024-04-01 00:04:00
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IRF6631 供应商
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IRF6631 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间:18 ns
- 典型接通延迟时间:15 ns
- 典型栅极电荷@Vgs:12 nC V @ 4.5
- 典型输入电容值@Vds:1450 pF V @ 15
- 安装类型:表面贴装
- 宽度:3.95mm
- 封装类型:DirectFET SQ
- 尺寸:3.95 x 3.95 x 0.59mm
- 引脚数目:6
- 最低工作温度:-40 °C
- 最大功率耗散:2200 mW
- 最大栅源电压:±20 V
- 最大漏源电压:30 V
- 最大漏源电阻值:0.008
- 最大连续漏极电流:13 A
- 最高工作温度:+150 °C
- 每片芯片元件数目:1
- 类别:功率 MOSFET
- 通道模式:增强
- 通道类型:N
- 配置:四漏极、单
- 长度:3.95mm
- 高度:0.59mm
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