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- 参考价格：RMB2.37-RMB2.48
更新日期：2024-04-01 00:04:00
- 参考价格：RMB2.37-RMB2.48
IRF5810PBF 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：62 ns
- 典型接通延迟时间：8.2 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：6.4 nC V @ 4.5
- 典型输入电容值@Vds：650 pF V @ 16
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：1.5mm
- 封装类型：TSOP
- 尺寸：3 x 1.5 x 0.9mm
- 引脚数目：6
- 最低工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：960 mW
- 最大栅源电压：±12 V
- 最大漏源电压：20 V
- 最大漏源电阻值：0.09
- 最大连续漏极电流：2.9 A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：2
- 类别：功率 MOSFET
- 通道模式：增强
- 通道类型：P
- 配置：双、双漏极、双源
- 长度：3mm
- 高度：0.9mm
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