- 参考价格:RMB68.50-RMB74.50
更新日期:2024-04-01 00:04:00
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IRF140 供应商
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IRF1407PBF
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IRF140 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间:21 ns
- 典型接通延迟时间:21 ns
- 典型栅极电荷@Vgs:30 → 59 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds:1660 pF V @ 25
- 安装类型:通孔
- 宽度:26.67mm
- 封装类型:TO-3
- 尺寸:39.95 x 26.67 x 7.87mm
- 引脚数目:2
- 最低工作温度:-55 °C
- 最大功率耗散:125 W
- 最大栅源电压:±20 V
- 最大漏源电压:100 V
- 最大漏源电阻值:0.089
- 最大连续漏极电流:28 A
- 最高工作温度:+150 °C
- 每片芯片元件数目:1
- 类别:功率 MOSFET
- 通道类型:N
- 配置:单
- 长度:39.95mm
- 高度:7.87mm
IRF140 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
IRF140
|
28A, 100V, 0.077 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
7 Pages页,56K | 查看 |
IRF140
|
TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A) |
7 Pages页,56K | 查看 |
IRF140
|
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V |
5 Pages页,56K | 查看 |
IRF140
|
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
5 Pages页,56K | 查看 |
IRF140
|
N-CHANNEL POWER MOSFET |
2 Pages页,56K | 查看 |
IRF140-143
|
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V |
5 Pages页,147K | 查看 |
IRF1404
|
Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A) |
8 Pages页,108K | 查看 |
IRF1404L
|
Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A) |
10 Pages页,307K | 查看 |
IRF1404S
|
Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A) |
10 Pages页,307K | 查看 |
IRF1405L
|
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=131A) |
11 Pages页,155K | 查看 |
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