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- 参考价格：RMB14.70-RMB18.30
更新日期：2024-04-01 00:04:00
- 参考价格：RMB14.70-RMB18.30
IRF1104SPBF 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：28 ns
- 典型接通延迟时间：15 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：93 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds：2900 pF V @ 25
- 安装类型：表面贴装
- 封装类型：D2PAK
- 引脚数目：3
- 最低工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：2400 mW
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：40 V
- 最大漏源电阻值：0.009
- 最大连续漏极电流：100 A
- 最高工作温度：+175 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：功率 MOSFET
- 通道模式：增强
- 通道类型：N
- 配置：单
- 高度：4.69mm
IRF1104SPBF 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IRF1104SPBF
|
HEXFET Power MOSFET |
10 Pages页,264K | 查看 |
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