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更新日期:2024-04-01 00:04:00

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IR21365PBF 供应商

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IR21365PBF 中文资料属性参数

  • 驱动芯片类型::金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
  • 电源形式::三相
  • 模块配置::半桥
  • 输出电流 峰值::200mA
  • 输入延迟::425ns
  • 输出延时::400ns
  • 电源电压范围::10V 到 20V
  • 封装类型::双列直插
  • 针脚数::28
  • 工作温度范围::-40°C 到 +125°C
  • SVHC(高度关注物质)::No SVHC (18-Jun-2012)
  • 偏移电压::600V
  • 功耗, Pd::1.5W
  • 器件标号::21365
  • 封装类型::DIP
  • 工作温度敏::-40°C
  • 工作温度最高::125°C
  • 电压 Vcc 最低::12V
  • 电压, Vcc 最大::25V
  • 电源电压 最大::20V
  • 电源电压 最小::12V
  • 芯片标号::21365
  • 表面安装器件::通孔安装
  • 输出电压::620V
  • 输出电压 最大::20V
  • 输出电压 最小::10V
  • 输出电流::200mA
  • 输出电流 + 最大::250mA
  • 输出电流 汲入型 最小::250mA
  • 输出电流 流出型 最小::120mA
  • 输出通道数字::6
  • 逻辑功能号::21365

IR21365PBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IR21365PBF

3-PHASE BRIDGE DRIVER

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