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IPP110N06L G

MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET N-CH 60V 78A
  • 参考价格：￥4.35-￥4.83

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IPP110N06L G

MOSFET

产品简介：MOSFET N-CH 60V 78A

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET N-CH 60V 78A
  • 参考价格：￥4.35-￥4.83

IPP110N06L G 中文资料属性参数

  • 制造商：Infineon
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：60 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：78 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0113 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220
  • 封装：Tube
  • 下降时间：18 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：158 W
  • 上升时间：19 ns
  • 典型关闭延迟时间：45 ns
  • 零件号别名：IPP110N06LGXK

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