您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

IPP100N06S3L-04

MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET OptiMOS -T2 PWR TRAN 55V 100A

更新日期：2024-04-01

IPP100N06S3L-04

MOSFET

产品简介：MOSFET OptiMOS -T2 PWR TRAN 55V 100A

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET OptiMOS -T2 PWR TRAN 55V 100A

IPP100N06S3L-04 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

IPP100N06S3L-04 中文资料属性参数

  • 制造商：Infineon
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：55 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 16 V
  • 漏极连续电流：100 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.8 m Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220AB
  • 封装：Tube
  • 下降时间：55 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：214 W
  • 上升时间：58 ns
  • 典型关闭延迟时间：82 ns
  • 零件号别名：IPP100N06S3L04XK

IPP100N06S3L-04 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9