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IPB042N10N3GE818XT
MOSFET- 参考价格：￥12.63-￥23.18
更新日期：2024-04-01 00:04:00
IPB042N10N3GE818XT 中文资料属性参数
- 制造商：Infineon
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：100 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：100 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.2 mOhms at 10 V
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 175 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：PG-TO263-3
- 封装：Reel
- 下降时间：14 ns
- 栅极电荷 Qg：88 nC
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：214 W
- 上升时间：59 ns
- 典型关闭延迟时间：48 ns
- 零件号别名：E8187 G IPB042N10N3 IPB042N10N3GE8187ATMA1
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