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IDW10G65C5FKSA1
单二极管更新日期：2024-04-01
IDW10G65C5FKSA1
单二极管产品简介：DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
IDW10G65C5FKSA1 供应商
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- 封装/批号
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- 说明
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InfineonTechnologies
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PG-TO247-3-41
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IDW10G65C5FKSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：Digi-Key 停止提供
- 系列：CoolSiC?+
- 包装：管件
- 产品状态：Digi-Key 停止提供
- 技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
- 电流 - 平均整流 (Io)：10A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 10 A
- 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：400 μA @ 650 V
- 不同?Vr、F 时电容：300pF @ 1V，1MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商器件封装：PG-TO247-3-41
- 工作温度 - 结：-55°C ~ 175°C