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HUF76129S3S

Fairchild Semiconductor MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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HUF76129S3S

Fairchild Semiconductor MOSFET

产品简介：MOSFET

HUF76129S3S 供应商

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HUF76129S3S 中文资料属性参数

  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：56 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.016 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-263AB
  • 下降时间：32 ns, 35 ns
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 功率耗散：105 W
  • 上升时间：90 ns, 30 ns
  • 典型关闭延迟时间：28 ns, 68 ns

HUF76129S3S 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
HUF76129S3S

56A, 30V, 0.016 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs

 10 Pages页,109K 查看
HUF76129S3S

56A, 30V, 0.016 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs

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