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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET
HUF75623S3S 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：100 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：22 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.064 Ohms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 175 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：TO-263AB
- 下降时间：39 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：85 W
- 上升时间：42 ns
- 典型关闭延迟时间：47 ns
HUF75623S3S 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 HUF75623S3ST
|
22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs |
10 Pages页,200K | 查看 |
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