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HN7G09FE(TE85L,F)
Transistors Bipolar (BJT)- 参考价格：￥0.317-￥0.621
更新日期：2024-04-01 00:04:00
HN7G09FE(TE85L,F)
Transistors Bipolar (BJT)产品简介：Transistors Bipolar (BJT) Vceo=50V Vds=30V Ic=100mA Id=100mA
- 参考价格：￥0.317-￥0.621
HN7G09FE(TE85L,F) 中文资料属性参数
- 制造商：Toshiba
- 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
- 晶体管极性：NPN
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：10 V
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：80
- 配置：Dual
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：ES-6
- 封装：Reel
- 集电极连续电流：100 mA
- 增益带宽产品fT：250 MHz
- 功率耗散：100 mW
- 工厂包装数量：4000
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