搜索
发布采购
HN7G02FE(TE85L,F)
Transistors Bipolar (BJT)- 参考价格：￥0.317-￥0.621
更新日期：2024-04-01 00:04:00
HN7G02FE(TE85L,F)
Transistors Bipolar (BJT)产品简介：Transistors Bipolar (BJT) Vceo=-50V Vds20V Ic=-100ma Id=50mA
- 参考价格：￥0.317-￥0.621
HN7G02FE(TE85L,F) 中文资料属性参数
- 制造商：Toshiba
- 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
- 晶体管极性：PNP
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：- 50 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：120
- 配置：Dual
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：ES-6
- 封装：Reel
- 集电极连续电流：- 100 mA
- 功率耗散：100 mW
- 工厂包装数量：4000
HN7G02FE(TE85L,F) 相关产品
- 1.5KE100A-E3/54
- 1.5KE16CA-E3/54
- 1.5KE18A-E3/54
- 1.5KE18CA-E3/54
- 1.5KE200A-E3/54
- 1.5KE220CA-E3/54
- 1.5KE24ARL4
- 1.5KE27A-E3/54
- 1.5KE30A-E3/54
- 1.5KE30CA-E3/54
- 1.5KE36CA-E3/54
- 1.5KE43A-E3/54
- 1.5KE440CA-E3/54
- 1.5KE6.8C-E3/54
- 1.5KE62A-E3/54
- 1.5SMC100A-E3/57T
- 1.5SMC200A-E3/57T
- 1.5SMC200CA-E3/57T
- 1.5SMC27CAHE3/57T
- 1.5SMC39A-E3/57T
- 1.5SMC400A-E3/57T
- 1.5SMC440A-E3/57T
- 1.5SMC540A-E3/57T
- 10A10
- 10ETS10S
- 111RKI120
- 111RKI40
- 111RKI80
- 123NQ080R
- 129NQ135R