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HN4B01JE(TE85L,F)
Transistors Bipolar (BJT)- 参考价格：￥0.359-￥0.69
更新日期：2024-04-01
HN4B01JE(TE85L,F)
Transistors Bipolar (BJT)产品简介：Transistors Bipolar (BJT) Vceo=-50V, Vceo=50V
- 参考价格：￥0.359-￥0.69
HN4B01JE(TE85L,F) 中文资料属性参数
- 制造商：Toshiba
- 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
- 晶体管极性：NPN/PNP
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
- 最大直流电集电极电流：0.15 A
- 配置：Dual Common Emitter
- 最大工作频率：80 MHz (Min)
- 最大工作温度：+ 150 C
- 封装：Reel
- 功率耗散：100 mW
- 工厂包装数量：4000
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