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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：IGBT 晶体管
HGTP3N60C3D 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 配置：Single
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
- 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
- 最大工作温度：+ 150 C
- 封装 / 箱体：TO-220AB-3
- 集电极最大连续电流 Ic：6 A
- 最小工作温度：- 40 C
- 安装风格：Through Hole
HGTP3N60C3D 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 HGTP3N60C3D
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6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes |
7 Pages页,274K | 查看 |
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HGTP3N60C3D
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6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes |
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