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更新日期:2024-04-01 00:04:00

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产品简介:IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel

HGTG20N60B3D_Q 中文资料属性参数

  • 制造商:Fairchild Semiconductor
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
  • 集电极—射极饱和电压:1.8 V
  • 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
  • 在25 C的连续集电极电流:20 A
  • 栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA
  • 功率耗散:165 W
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 封装 / 箱体:TO-247-3
  • 封装:Tube
  • 集电极最大连续电流 Ic:40 A
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 安装风格:Through Hole

HGTG20N60B3D_Q 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
HGTG20N60B3D_Q

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