更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel
HGTG20N60B3D_Q 中文资料属性参数
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 配置:Single
- 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
- 集电极—射极饱和电压:1.8 V
- 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
- 在25 C的连续集电极电流:20 A
- 栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA
- 功率耗散:165 W
- 最大工作温度:+ 150 C
- 封装 / 箱体:TO-247-3
- 封装:Tube
- 集电极最大连续电流 Ic:40 A
- 最小工作温度:- 40 C
- 安装风格:Through Hole
HGTG20N60B3D_Q 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
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