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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：IGBT 晶体管 35A 1200V N-Ch
HGTG10N120BND_Q 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 产品种类：IGBT 晶体管
- 配置：Single
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
- 集电极—射极饱和电压：2.45 V
- 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
- 在25 C的连续集电极电流：35 A
- 栅极—射极漏泄电流：+/- 250 nA
- 功率耗散：298 W
- 最大工作温度：+ 150 C
- 封装 / 箱体：TO-247-3
- 封装：Tube
- 集电极最大连续电流 Ic：35 A
- 最小工作温度：- 55 C
- 安装风格：Through Hole
HGTG10N120BND_Q 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 HGTG10N120BND_Q
|
8页,111K | 查看 |
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