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HGTD3N60A4S

Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Transistors

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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HGTD3N60A4S

Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管

产品简介：IGBT 晶体管

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Transistors

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HGTD3N60A4S 中文资料属性参数

  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 产品种类：IGBT 晶体管
  • 配置：Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
  • 集电极—射极饱和电压：2 V
  • 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
  • 栅极—射极漏泄电流：+/- 250 nA
  • 功率耗散：70 W
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装 / 箱体：TO-252-3
  • 集电极最大连续电流 Ic：17 A
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 安装风格：SMD/SMT

HGTD3N60A4S 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
HGTD3N60A4S

600V, SMPS Series N-Channel IGBT

 8 Pages页,157K 查看
HGTD3N60A4S

600V, SMPS Series N-Channel IGBT

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