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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：IGBT 晶体管 TO-263
HGT1S3N60A4DS 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Fairchild
-
TO-263AB
21+ -
4713
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
FAIRCHILD
-
SOT-263
23+ -
5800
-
上海市
-
-
-
进口原装现货，杜绝假货。
HGT1S3N60A4DS 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 配置：Single
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
- 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
- 最大工作温度：+ 150 C
- 封装 / 箱体：TO-263AB-3
- 集电极最大连续电流 Ic：17 A
- 最小工作温度：- 55 C
- 安装风格：SMD/SMT
HGT1S3N60A4DS 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 HGT1S3N60A4DS
|
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
9 Pages页,114K | 查看 |
|
HGT1S3N60A4DS
|
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
10 Pages页,114K | 查看 |
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HGT1S3N60A4DS9A
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600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
9 Pages页,114K | 查看 |
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