您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

HGT1S20N36G3VLS

Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Transistors 20A 360V Clamp

更新日期：2024-04-01 00:04:00

暂无图片

HGT1S20N36G3VLS

Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管

产品简介：IGBT 晶体管 20A 360V Clamp

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Transistors 20A 360V Clamp

HGT1S20N36G3VLS 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

HGT1S20N36G3VLS 中文资料属性参数

  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 产品种类：IGBT 晶体管
  • 配置：Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：395 V
  • 集电极—射极饱和电压：1.3 V
  • 栅极/发射极最大电压：+/- 10 V
  • 在25 C的连续集电极电流：29 A
  • 栅极—射极漏泄电流：1000 uA
  • 功率耗散：50 W
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装 / 箱体：TO-263AB-3
  • 封装：Tube
  • 集电极最大连续电流 Ic：37.7 A
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 工厂包装数量：50

HGT1S20N36G3VLS 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
HGT1S20N36G3VLS

20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs

 7 Pages页,257K 查看

HGT1S20N36G3VLS 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9