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- 封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：IGBT ESD N-CHAN 360V TO-262AA
- 封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
HGT1S20N36G3VL 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Fairchild
-
TO-262AA
21+ -
58000
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
HGT1S20N36G3VL 中文资料属性参数
- 标准包装：400
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：IGBT - 单路
- 系列：-
- IGBT 类型：-
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：395V
- Vge, Ic时的最大Vce（开）：1.9V @ 5V，20A
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：37.7A
- 功率 - 最大：150W
- 输入类型：逻辑
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262AA
- 包装：管件
HGT1S20N36G3VL 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 HGT1S20N36G3VL
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20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs |
7 Pages页,257K | 查看 |
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HGT1S20N36G3VLS
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20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs |
7 Pages页,257K | 查看 |
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