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  • 封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:管件

更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:IGBT ESD N-CHAN 350V TO-263AB

  • 封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:管件

HGT1S20N35G3VLS 中文资料属性参数

  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:IGBT - 单路
  • 系列:-
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):380V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):2.8V @ 5V,20A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):20A
  • 功率 - 最大:150W
  • 输入类型:逻辑
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:TO-263AB
  • 包装:管件

HGT1S20N35G3VLS 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
HGT1S20N35G3VLS

20A, 350V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs

8 Pages页,107K 查看
HGT1S20N35G3VLS

20A, 350V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs

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