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- 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$1.43292-$1.79115
更新日期：2024-04-01
产品简介：IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB
- 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
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HGT1S10N120BNST 供应商
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HGT1S10N120BNST
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HGT1S10N120BNST
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TO-263-3，D2Pak2 引线 + 接片，TO-263AB
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HGT1S10N120BNST 中文资料属性参数
- 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
- 标准包装：800
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：IGBT - 单路
- 系列：-
- IGBT 类型：NPT
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V
- Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.7V @ 15V，10A
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：35A
- 功率 - 最大：298W
- 输入类型：标准型
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：TO-263AB
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：HGT1S10N120BNST-NDHGT1S10N120BNSTTR
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