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  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:Diodes (General Purpose, Power, Switching) Hi Eff Si Rect SMB,2A,400V,50ns,GP
  • 参考价格:¥1.68

更新日期:2024-04-01 00:04:00

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产品简介:发光二极管(通用、电源、转换) Hi Eff Si Rect SMB,2A,400V,50ns,GP

  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:Diodes (General Purpose, Power, Switching) Hi Eff Si Rect SMB,2A,400V,50ns,GP
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HFM205 中文资料属性参数

  • 制造商:Rectron

HFM205 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
HFM205

SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED HIGH EFFICIENCY SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 2.0 Amperes)

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HFM205-L

Chip Silicon Rectifier - Ultra fast recovery type

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