GB2X50MPS12-227
二极管阵列更新日期:2024-04-01 00:04:00
GB2X50MPS12-227
二极管阵列产品简介:SIC DIODE 1200V 100A SOT-227
GB2X50MPS12-227 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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苏州
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仓库现货
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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上海市
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仓库现货
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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上海市
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仓库现货
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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苏州
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仓库现货
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isc/固电半导体
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SOT-227
2024+ -
33000
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无锡
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国产品牌isc,33年国产工厂
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艾赛斯
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标准封装
22+ -
5000
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上海市
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上海现货,实单可谈
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领英
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module
19+ -
888
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苏州
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▊原装进口▊真实库存▊一级代理▊
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IXFN
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标准封装
21+ -
5000
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上海市
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原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质
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IXFN
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EA
21+ -
1200
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上海市
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厂家授权代理商.IGBT模块.可控硅模块,二极管,整流
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IXYS/艾赛斯
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TRAY
22+ -
660
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上海市
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可提供产品实图拍摄 全新原包
GB2X50MPS12-227 中文资料属性参数
- 现有数量:356现货
- 价格:1 : ¥636.55000管件
- 系列:SiC Schottky MPS?
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 二极管配置:2 个独立式
- 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):93A(DC)
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.8 V @ 50 A
- 速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 μA @ 1200 V
- 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商器件封装:SOT-227