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GA35XCP12-247

GeneSiC Semiconductor IGBT 模块
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Modules 1200V 35A SIC IGBT CoPak
  • 参考价格：￥733.13

更新日期：2024-04-01

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GA35XCP12-247

GeneSiC Semiconductor IGBT 模块

产品简介：IGBT 模块 1200V 35A SIC IGBT CoPak

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Modules 1200V 35A SIC IGBT CoPak
  • 参考价格：￥733.13

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GA35XCP12-247 中文资料属性参数

  • 制造商：GeneSiC Semiconductor
  • 产品：IGBT Silicon Carbide Modules
  • 配置：Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
  • 集电极—射极饱和电压：3 V
  • 在25 C的连续集电极电流：35 A
  • 栅极—射极漏泄电流：500 nA
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装 / 箱体：TO-247AB
  • 封装：Bulk
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 安装风格：Through Hole

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