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G4S6508Z
单二极管更新日期：2024-04-01 00:04:00
G4S6508Z
单二极管产品简介：DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN
G4S6508Z 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥38.40000剪切带（CT）30 : ￥32.61033带盒（TB）
- 系列：-
- 包装：剪切带（CT）带盒（TB）
- 产品状态：在售
- 技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
- 电流 - 平均整流 (Io)：30.5A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 8 A
- 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：50 μA @ 650 V
- 不同?Vr、F 时电容：395pF @ 0V，1MHz
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：8-DFN（4.9x5.75）
- 工作温度 - 结：-55°C ~ 175°C