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G3S06512B
二极管阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
G3S06512B
二极管阵列产品简介：SIC SCHOTTKY DIODE 650V 12A 3-PI
G3S06512B 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥53.03000剪切带（CT）30 : ￥45.65900带盒（TB）
- 系列：-
- 包装：剪切带（CT）带盒（TB）
- 产品状态：在售
- 二极管配置：1 对共阴极
- 技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：27A（DC）
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 6 A
- 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：50 μA @ 650 V
- 工作温度 - 结：-55°C ~ 175°C
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商器件封装：TO-247AB