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FW905-TL-E
MOSFET 晶体管更新日期：2024-04-01 00:04:00
FW905-TL-E
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FW905-TL-E 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：110（P 通道）ns，125（N 通道）ns
- 典型接通延迟时间：19（N 通道）ns，19（P 通道）ns
- 典型栅极电荷@Vgs：18.4 nC @ -4 V（P 沟道），18.5 nC @ 4 V（N 沟道）
- 典型输入电容值@Vds：1530 pF @ 10 V（N 沟道），1720 pF @ -10 V（P 沟道）
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：4.4mm
- 封装类型：SOP 8
- 尺寸：5 x 4.4 x 1.5mm
- 引脚数目：8
- 最大功率耗散：2.5 W
- 最大栅源电压：±10 V
- 最大漏源电压：20（N 通道）V，-20（P 通道）V
- 最大漏源电阻值：33（N 通道）mΩ，59（P 通道）mΩ
- 最大连续漏极电流：-6（P 通道）A，7（N 通道）A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：2
- 类别：通用
- 通道模式：增强
- 通道类型：N，P
- 配置：双、双漏极
- 长度：5mm
- 高度：1.5mm
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