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FW341-TL-E
MOSFET 晶体管更新日期：2024-04-01 00:04:00
FW341-TL-E
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FW341-TL-E 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：19（N 通道）ns，20（P 通道）ns
- 典型接通延迟时间：7（N 通道）ns，7（P 通道）ns
- 典型栅极电荷@Vgs：5 nC @ 10 V（N 沟道），5.5 nC @ -10 V（P 沟道）
- 典型输入电容值@Vds：180 pF @ 10 V（N 沟道），200 pF @ -10 V（P 沟道）
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：4.4mm
- 封装类型：SOP 8
- 尺寸：5 x 4.4 x 1.5mm
- 引脚数目：8
- 最大功率耗散：1.7 W
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：30（N 通道）V，-30（P 通道）V
- 最大漏源电阻值：150（N 通道）mΩ，340（P 通道）mΩ
- 最大连续漏极电流：-2.5（P 通道）A，3.5（N 通道）A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：2
- 类别：通用
- 通道模式：增强
- 通道类型：N，P
- 配置：双、双漏极
- 长度：5mm
- 高度：1.5mm
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