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FSS262-TL-E
MOSFET 晶体管更新日期：2024-04-01 00:04:00
FSS262-TL-E
MOSFET 晶体管FSS262-TL-E 供应商
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FSS262-TL-E 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：155 ns
- 典型接通延迟时间：17 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：33 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds：1700 pF V @ 10
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：4.4mm
- 封装类型：SOP 8
- 尺寸：5 x 4.4 x 1.5mm
- 引脚数目：8
- 最大功率耗散：1.8 W
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：30 V
- 最大漏源电阻值：23 m
- 最大连续漏极电流：10 A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：功率 MOSFET
- 通道模式：增强
- 通道类型：N
- 配置：四漏极、单、三源
- 长度：5mm
- 高度：1.5mm
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