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FP7G150US60

Fairchild Semiconductor IGBT 模块
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Modules Transfer Molded Type IGBT Module PowerSPM

更新日期：2024-04-01 00:04:00

FP7G150US60

Fairchild Semiconductor IGBT 模块

产品简介：IGBT 模块 Transfer Molded Type IGBT Module PowerSPM

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Modules Transfer Molded Type IGBT Module PowerSPM

FP7G150US60 中文资料属性参数

  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 产品种类：IGBT 模块
  • 产品：IGBT Silicon Modules
  • 配置：Single
  • 集电极—射极饱和电压：2.3 V
  • 在25 C的连续集电极电流：150 A
  • 栅极—射极漏泄电流：100 nA
  • 功率耗散：450 W
  • 最大工作温度：+ 125 C
  • 栅极/发射极最大电压：20 V
  • 最小工作温度：- 40 C

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