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FP50R06KE3

IGBT 模块
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Modules N-CH 600V 60A
  • 参考价格：￥544.69-￥605.13

更新日期：2024-04-01

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FP50R06KE3

IGBT 模块

产品简介：IGBT 模块 N-CH 600V 60A

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Modules N-CH 600V 60A
  • 参考价格：￥544.69-￥605.13

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FP50R06KE3 中文资料属性参数

  • 制造商：Infineon
  • 产品：IGBT Silicon Modules
  • 配置：Array 7
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
  • 在25 C的连续集电极电流：60 A
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装 / 箱体：Econo 2
  • 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 安装风格：Screw

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