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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：IGBT 晶体管 600V/100A/2
FMG2G100US60_Q 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 配置：Dual
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
- 集电极—射极饱和电压：2.2 V
- 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
- 在25 C的连续集电极电流：100 A
- 栅极—射极漏泄电流：+/- 100 nA
- 功率耗散：400 W
- 最大工作温度：+ 150 C
- 封装 / 箱体：7PM-GA-7
- 封装：Bulk
- 最小工作温度：- 40 C
- 安装风格：Screw
FMG2G100US60_Q 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 FMG2G100US60_Q
|
9页,636K | 查看 |
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