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更新日期：2024-04-01
产品简介：IGBT 模块
FMC6G30US60 供应商
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FMC6G30US60 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 产品种类：IGBT 模块
- 产品：IGBT Silicon Modules
- 配置：Hex
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
- 集电极—射极饱和电压：2.2 V
- 在25 C的连续集电极电流：30 A
- 栅极—射极漏泄电流：100 nA
- 功率耗散：125 W
- 最大工作温度：+ 150 C
- 封装 / 箱体：21PM-BA
- 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
- 最小工作温度：- 40 C
- 安装风格：SMD/SMT
FMC6G30US60 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 FMC6G30US60
|
Compact & Complex Module |
9 Pages页,714K | 查看 |
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