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FM24W256-EG

Ramtron 内存
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：F-RAM IIC FRAM 256k 3-5V

更新日期：2024-04-01

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FM24W256-EG

Ramtron 内存

产品简介：F-RAM IIC FRAM 256k 3-5V

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：F-RAM IIC FRAM 256k 3-5V

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FM24W256-EG 中文资料属性参数

  • 制造商：Ramtron
  • 产品种类：F-RAM
  • 工作电源电压：3 V to 5 V
  • 工作温度范围：- 40 C to + 85 C
  • 封装：Tube

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