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FII50-12E

IXYS IGBT - 阵列
  • 封装:i4-Pac?-5
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

更新日期:2024-04-01

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FII50-12E

IXYS IGBT - 阵列

产品简介:IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5

  • 封装:i4-Pac?-5
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

FII50-12E 供应商

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FII50-12E 中文资料属性参数

  • 标准包装:24
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:IGBT - 阵列
  • 系列:-
  • IGBT 类型:NPT
  • 配置:半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):2.6V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):50A
  • 电流 - 集电极截止(最大):400µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies):2nF @ 25V
  • 功率 - 最大:200W
  • 输入:标准型
  • NTC 热敏电阻:
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:i4-Pac?-5
  • 供应商设备封装:ISOPLUS i4-PAC?

FII50-12E 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
FII50-12E

NPT IGBT phaseleg

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