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FGH75T65UPD

Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Transistors 650V 150A 187W
  • 参考价格：￥21.39-￥45.06

更新日期：2024-04-01

FGH75T65UPD

Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管

产品简介：IGBT 晶体管 650V 150A 187W

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Transistors 650V 150A 187W
  • 参考价格：￥21.39-￥45.06

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FGH75T65UPD 中文资料属性参数

  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V
  • 集电极—射极饱和电压：2.3 V
  • 栅极/发射极最大电压：20 V
  • 在25 C的连续集电极电流：150 A
  • 栅极—射极漏泄电流：400 nA
  • 功率耗散：187 W
  • 封装 / 箱体：TO-247
  • 封装：Tube
  • 安装风格：Through Hole

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