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FGD3440G2_F085

Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Transistors EcoSPARK2 335mJ 400V N-Chan Ignition IGBT
  • 参考价格：￥10.01-￥8.28

更新日期：2024-04-01

FGD3440G2_F085

Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管

产品简介：IGBT 晶体管 EcoSPARK2 335mJ 400V N-Chan Ignition IGBT

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Transistors EcoSPARK2 335mJ 400V N-Chan Ignition IGBT
  • 参考价格：￥10.01-￥8.28

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FGD3440G2_F085 中文资料属性参数

  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V
  • 集电极—射极饱和电压：1.1 V
  • 栅极/发射极最大电压：14 V
  • 在25 C的连续集电极电流：26.9 A
  • 功率耗散：166 W
  • 最大工作温度：+ 125 C
  • 封装 / 箱体：TO-252
  • 封装：Reel
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 工厂包装数量：2500

FGD3440G2_F085 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
FGD3440G2_F085

IGBT 400V 26.9A 166W Surface Mount TO-252AA

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