搜索
发布采购
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：IGBT 晶体管 600V N-Ch IGBT SMPS II Series
FGB20N6S2DT 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 配置：Single
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
- 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
- 最大工作温度：+ 150 C
- 封装 / 箱体：TO-263AB-3
- 封装：Reel
- 集电极最大连续电流 Ic：28 A
- 最小工作温度：- 55 C
- 安装风格：SMD/SMT
FGB20N6S2DT 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 FGB20N6S2DT
|
600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
9 Pages页,233K | 查看 |
FGB20N6S2DT 相关产品
- 1.5KE100A-E3/54
- 1.5KE16CA-E3/54
- 1.5KE18A-E3/54
- 1.5KE18CA-E3/54
- 1.5KE200A-E3/54
- 1.5KE220CA-E3/54
- 1.5KE24ARL4
- 1.5KE27A-E3/54
- 1.5KE30A-E3/54
- 1.5KE30CA-E3/54
- 1.5KE36CA-E3/54
- 1.5KE43A-E3/54
- 1.5KE440CA-E3/54
- 1.5KE6.8C-E3/54
- 1.5KE62A-E3/54
- 1.5SMC100A-E3/57T
- 1.5SMC200A-E3/57T
- 1.5SMC200CA-E3/57T
- 1.5SMC27CAHE3/57T
- 1.5SMC39A-E3/57T
- 1.5SMC400A-E3/57T
- 1.5SMC440A-E3/57T
- 1.5SMC540A-E3/57T
- 10A10
- 10ETS10S
- 111RKI120
- 111RKI40
- 111RKI80
- 123NQ080R
- 129NQ135R