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FF150R12RT4HOSA1
IGBT 模块更新日期：2024-04-01 00:04:00
FF150R12RT4HOSA1
IGBT 模块产品简介：IGBT MOD 1200V 150A 790W
FF150R12RT4HOSA1 供应商
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- 封装/批号
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Infineon
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AG-34MM-411
21+ -
28
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上海市
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一级代理原装
FF150R12RT4HOSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：48现货
- 价格：1 : ￥641.95000托盘
- 系列：C
- 包装：托盘
- 产品状态：在售
- IGBT 类型：沟槽型场截止
- 配置：半桥
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 A
- 功率 - 最大值：790 W
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，150A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：1 mA
- 不同?Vce 时输入电容 (Cies)：-
- 输入：标准
- NTC 热敏电阻：无
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：模块