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FDU6670AS

Fairchild Semiconductor MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

更新日期：2024-04-01

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FDU6670AS

Fairchild Semiconductor MOSFET

产品简介：MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

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FDU6670AS 中文资料属性参数

  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 漏极连续电流：76 A
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-251
  • 封装：Tube
  • 功率耗散：70 W
  • 工厂包装数量：75

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