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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET SO-8 N-CH 1&2 30V
FDS6982_L86Z 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：6.3 A, 8.6 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.028 Ohms
- 配置：Dual Dual Drain
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
- 封装：Reel
- 下降时间：7 ns, 18 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：2 W
- 上升时间：14 ns, 11 ns
- 典型关闭延迟时间：21 ns, 36 ns
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