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更新日期:2024-04-01 00:04:00

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产品简介:MOSFET DISC BY MFG 2/02

FDR836P 供应商

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FDR836P 中文资料属性参数

  • 制造商:Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 8 V
  • 漏极连续电流:6.1 A
  • 配置:Single Quint Drain Dual Source
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SuperSOT-8
  • 封装:Reel
  • 下降时间:14 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:1800 mW
  • 上升时间:14 ns
  • 典型关闭延迟时间:225 ns

FDR836P 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
FDR836P

P-Channel 2.5V Specified MOSFET

8 Pages页,225K 查看

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