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更新日期:2024-04-01 00:04:00

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产品简介:MOSFET TO-220

FDP6021P 供应商

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FDP6021P 中文资料属性参数

  • 制造商:Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:- 20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 8 V
  • 漏极连续电流:28 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.03 Ohms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-263AB
  • 封装:Tube
  • 下降时间:50 ns
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:37 W
  • 上升时间:10 ns
  • 典型关闭延迟时间:80 ns

FDP6021P 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
FDP6021P

20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

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